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长鑫存储内存芯片自主制造项目投产

字号+ 作者:- 来源:- 2019-09-21 14:02:55

  中新社合肥9月20日电 (记者 张俊)长鑫存储内存芯片自主制造项目20日在安徽合肥宣布投产,其生产的10纳米级第一代8GB DDR4与国际主流DRAM产品同步,一期设计产能每月12万片晶圆。   DRAM即动态随机存取存储器,是芯片产业中产值占比最...

  中新社合肥9月20日电 (记者 张俊)长鑫存储内存芯片自主制造项目20日在安徽合肥宣布投产,其生产的10纳米级第一代8GB DDR4与国际主流DRAM产品同步,一期设计产能每月12万片晶圆。

  DRAM即动态随机存取存储器,是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年,中国芯片进口额超过3000亿美元,这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片,被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”,广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

  合肥长鑫存储内存芯片自主制造项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标。2016年5月,项目由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建,该项目总投资约1500亿元人民币,是安徽省单体投资最大的工业项目。目前,项目已获得中国工信部旗下检测机构——中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

  清华大学微电子所所长魏少军、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内专家表示,这标志中国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。(完)

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